Технический писатель

АО "НИИТМ"

Условия работы

Город

Зеленоград, Панфиловский проспект, дом 10   –   на карте

Заработная плата

от 80 000 руб.

График работы

Полный рабочий день

Предоставляется

Обучение

Условия

Официальное оформление по ТК РФ

Офис в Зеленограде

График работы с 8.30 до 17.30

Обучение

ДМС

Частичная компенсация аренды жилья для иногородних сотрудников

Обязанности

Выполнение проектов, в том числе НИОКР, государственных контрактов, направленных на разработку новых технологий и оборудования в области вакуумно-плазменных технологий.

- разработка и оформление научно-технических отчетов по направлению вакуумно-плазменных технологий согласно ГОСТ Р ИСО 9000 и ОСТ 95 18-2001. "Стандарт отрасли. Порядок проведения научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ. Основные положения" и др.;

- разработка технологической документации, технических заданий, программы и методики испытаний и др. научно-технической документации в соответствии с требованиями стандартов, ЕСКД, ЕСПД, таких как: ГОСТ 15.309-98 "Системы разработки и постановки продукции на производство. Испытания и приемка выпускаемой продукции. Основные положения", ГОСТ 19.201-78 ЕСПД. "Техническое задание. Требования к содержанию и оформлению", ГОСТ 19.301-79 ЕСПД. "Программа и методика испытаний. Требования к содержанию и оформлению", РМГ 62-2003 ГСИ. "Обеспечение эффективности измерений при управлении технологич

Требования к кандидату *

Образование

Высшее

Опыт работы

От 1 года

Требования

Высшее образование (МИЭТ, МВТУ им.Баумана, МАИ, МИФИ, Станкин и др.);

- опыт работы от 3х лет;

- опыт оформления отчетной документации по НИОКР в рамках госконтрактов является преимуществом;

- опыт работы по разработке технологической документации, научно-технических отчетов, технических заданий;

- опыт работы по направлению ионно-плазменных технологий:

- нанесение пленок (в плазме магнетронного разряда, термическое, электронно-лучевое испарение, атомно-слоевое осаждение и др.);

- обработка поверхности в плазме ВЧ разряда (плазмохимическое травление диэлектрических, металлических, полупроводниковых, полимерных слоев и глубокое травление кремниевых пластин);

- реактивное ионное травление; атомно-слоевое травление оксида кремния, кремния и очистка поверхности;

- осаждение пленок из газовой среды в плазме ВЧ разряда (плазмохимическое осаждение с диодной системой, с источником индуктивно-связанной плазмы, атомно-слоевое осаждение);

- физико-термические процессы; выращивание монокристаллических структур